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IRF7413A
3200
2800
V GS
C is s
C rs s
C i ss C os s
=
=
=
=
0V , f = 1MH z
C gs + C g d , C ds SH OR TED
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 7 .3 A
V DS = 2 4V
V DS = 1 5V
2400
2000
1600
C os s
12
1200
800
C rss
8
4
400
FO R TES T C IR CU IT
0
A
0
SEE FIG U R E 9
A
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 25°C
T J = 15 0°C
100
10
100us
10
1ms
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
10ms
V G S = 0 V
1
0.4
1.2
2.0
2.8
A
3.6
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
V S D , Source-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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